Intel i Micron przedstawiają 20 nm pamięci NAND flash

0

Intel oraz Micron zaprezentowały 20 nanometrowy proces technologiczny produkcji pamięci NAND flash. Przy wykorzystaniu nowego procesu firmy będą produkować układy NAND flash MLC o pojemności 8 GB.

Dzięki 20 nanometrowemu procesowi technologicznemu układ zajmuje powierzchnię 118 mm2. W porównaniu z pamięciami wytwarzanymi w oparciu o proces 25 nm, powierzchnia płytki drukowanej jest od 30-40 procent mniejsza. Układy są opracowywane z myślą o producentach smartfonów i tabletów. Zmniejszenie rozmiarów pamięci otwiera przed nimi nowe możliwości – istnieje możliwość dołożenia większej baterii. powiększenia ekranu czy zastosowanie innego układu obsługującego nowe funkcjonalności.

Rozwój technologii flash postępuje w bardzo szybkim tempie. firmy Intel i Micron rozpoczęły produkcję układów w oparciu o proces technologiczny 50nm w 2006 roku. Dwa lata później producenci przedstawili pamięci opracowane w technologii 34 nm, a w drugim kwartale ubiegłego roku do sprzedaży trafiły układy 25nm.
Masowa produkcja pamięci 20nm rozpocznie się w drugiej połowie 2011 roku.

Wojciech Urbanek

PODZIEL SIĘ

BRAK KOMENTARZY

ZOSTAW ODPOWIEDŹ